Simulasi numerik pada suatu struktur sel surya HIT (Heterostructure with Intrinsic Thin Layer) dengan struktur hetero ITO/(p+)a-Si:H/(i)a-Si:H/c-Si/Al dilakukan menggunakan perangkat lunak AFORS-HET (Automat For Simulation of Heterostructures) yang bertujuan sebagai validasi serta optimalisasi kinerja sel surya. Simulasi dioperasikan secara observatif dan mengandalkan data analisis dari beberapa parameter input seperti dopping akseptor NA, nilai fungsi kerja kontak depan (WFtco), Energy Gap, rapat cacat dangling-bond, dan lainnya. Dengan menambahkan variasi dari parameter input akan didapatkan hasil simulasi yang dapat dianalisis berdasarkan diagram band-energy, laju rekombinasi, profil medan listrik, konsentrasi pembawa muatan, hingga rapat arus singkat yang terbangkit. Dari hasil simulasi numerik menggunakan tinjauan data analisis sebelumnya menunjukan adanya peningkatan kinerja sel surya. Hal ini disebabkan karena adanya pemberian lapisan intrinsik pada struktur sel surya guna memaksimalkan efek passivasi (passivation effect) pada lapisan antar-muka hetero yang dapat meminimalisir proses rekombinasi, hal ini divalidasi dari data Figure of Merits (FOMS) menghasilkan data paramter (Voc=634,2 mV; Jsc=51,2 mA/cm2 ; FF=72,91 %) dengan efisiensi sel surya sebesar 23,67% dengan pemberian dopping akseptor NA, rapat cacat dangling-bond, fungsi kinerja kontak depan, dan parameter input lainnya yang telah dioptimalkan.