Pada penelitian ini pembahasan sifat elektronik dan struktur dari material TiO2-Graphene melalui simulasi pemodelan dengan menggunakan metode Teori Fungsi Kerapatan (DFT). Dalam struktur yang dianalisis TiO2 dilapisi graphene dalam bentuk lembaran untuk meningkatkan nilai efisiensi serapan sinar UV semikonduktor dengan meningkatkan nilai tepi pita valensi dan menurunkan energi celah pita tanpa menurunkan pita konduksi semikonduktor yang digunakan. Analisis berbasis DFT dilakukan dengan menggunakan Quantum Espresso dan hasil penelitian mengungkapkan interaksi maksimum molekul TiO2 dan molekul graphene pada system TiO2 – graphene yaitu ketika posisi atom Ti dari molekul TiO2 dan C dari molekul graphene berjarak 4,5 Å dengan energi interaksi sebesar -0,12286 eV. Pemberian lapisan Graphene pada permukaan TiO2 terbukti mampu meningkatkan nilai tepi valensi tanpa menurunkan band gap. Nilai band gap pada sistem TiO2 – graphene adalah sebesar 0,2 eV.
Kata Kunci : DFT, TiO2-Graphene, Band Gap.